1．结晶的SiO2是Si-O四面体结构，而无定形SiO2不是Si-O四面体结构，因而密度小。（ ）对/错
2．杂质在硅晶体中的扩散机构主要有 和 两种。 3．二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有：（ ） ①对杂质的掩蔽作用
②对器件表面的保护和钝化作用 ③用于器件的电绝缘和电隔离 ④作为电容器的介质材料
⑤作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料
A．①② B.①②③ C.①②④⑤ D.①②③④⑤ 4．扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系（ ）
①杂质的浓度梯度 ② 温度 ③扩散过程的激活能 ④杂质的迁移率 A.①② B.②③ C.②④ D.①④
5．硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于_____ 。 A.替位式扩散 B.间隙式扩散
6．下面选项属于主扩散（再分布）的作用有（ ）。
①调节表面浓度 ②控制进入硅表面内部的杂质总量 ③控制结深 A.① B.② C .③ D.①③
7.结深表达式可统一写成： ，对于有限表面源扩散，A=（ ） a． b．
8.扩散多在_ _ （高/低）温下进行, 恒定表面源扩散的杂质分布服从______ _ 分布，有限表面源扩散的杂质分布服从____ _分布。
9. 结深的测量方法有_____ 法、磨槽法、光干涉法。 10．离子注入掺杂纯度高，是因为（ ）。
A.杂质源的纯度高 B.注入离子是通过质量分析器选出来的
11．LSS理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程： ① ，② 。 12.减弱或消除沟道现象的措施有：（ ）
1.入射方向偏离沟道轴向 2. 入射方向平行沟道轴向 3.样品表面淀积一层二氧化硅 4. 样品表面淀积一层氮化硅
A．1,3 B. 2,3 C. 1,3,4 D. 2,3,4
13.真空蒸发就是利用蒸发材料在高温时所具有的 进行薄膜制备。 14．溅射法制备薄膜的温度比真空蒸发低。（ ）对/错
15．边界层（附面层）厚度δ（x）定义为从速度为零的硅片表面到气流速度为 时的区域厚度。 16．BPSG是通过在 中掺杂 和 形成的。
17．生长有外延层的硅片称为 ，外延层和衬底是同一种材料的外延工艺叫做 ，外延层和衬底不是同一种材料的外延工艺叫做 。
18．正胶显影时， 部分溶解；负胶显影时， 部分溶解。 19．正胶的分辨率比负胶（ ）。 A.高 B. 低 C.相同
20．高压汞灯能够产生300－450nm的紫外光源，可用于0.5μm以上的工艺，主要使用的是其中的 线和 线。
21．相比较而言，干法腐蚀的优点主要是 和 。 22．多晶硅栅技术最主要的特点是具有 自对准特性。 23．单晶的CZ法工艺中，收颈步骤的目的是 。
24．硅片加工工艺中，次参考面的作用是① ，② 。
25．MOS集成电路中的隔离主要是防止形成 导电沟道，即防止场区的寄生场效应晶体管开启。
26．防止场区的寄生场效应晶体管开启的方法之一就是提高寄生场效应晶体管的 。 27.提高寄生场效应晶体管阈值电压的方法主要由两种：
①增加场区 的厚度②增大 的掺杂浓度。 二、问答题（每小题5分，共30分）
1．给出一个湿法腐蚀SiO2的常用配方（KPR胶），说明配方中主要成分的作用，并用 化学反应式表达其作用。
2．图6.7描述的是硅薄膜淀积速率与气流速率平方根的关系。请问：为什么在气流速
率达到1.0L/min以前，淀积速率与气流速率的平方根成正比？为什么当气流速率达到1.2L/min以后，淀积速率反而与气流速率无关？
3．在一般的掺杂浓度下，同样的掺杂浓度，多晶硅的电阻率为什么比单晶硅的电阻率高得多？ 4．在深亚微米器件的制造中，为什么要采用Cu互连和低K介质材料？
5．简要说明杂质硼、磷氧化增强扩散（OEL）的机理。 6．试请画出Deal-Grove热氧化模型的示意图。
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