薄膜太阳能光伏产业发展分析报告
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目录
一、引言……………………………………………………………2 二、薄膜太阳能光伏产业的发展现状和趋势……………………2
（一）薄膜太阳能电池定义…………………………………2 （二）薄膜太阳能电池分类及应用…………………………3 （三）薄膜太阳能光伏产业发展现状………………………5 （四）薄膜太阳能光伏产业发展趋势………………………7 三、薄膜太阳能电池生产厂家概况………………………………11
（一）国外薄膜太阳能电池生产厂家………………………11 （二）国内薄膜太阳能电池生产厂家………………………20 四、总结……………………………………………………………25 五、建议……………………………………………………………27
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一、引言
2004年德国光伏补贴政府引爆了光伏产业，光伏产业强势需求造就了多晶硅原料企业的超高利润，而2007年美国First Solar的亮丽表现则带来了薄膜产业的新纪元，1.3 美元/瓦的低成本，11%左右的转换率，欧洲北美的巨额订单，不受原料限制的大规模生产成就了First Solar的高利润，高收入，高可靠的盈利预期，也促使业界发现属于薄膜时代的来临。
在2007年和2008年间，全球光伏产业最为火热的环节就是薄膜领域，不断有新的项目发布或者投产，有限的设备公司订单已经排到1年以后，而且新增订单不断，除了美国 First Solar,日本夏普也开始大规模投入薄膜领域，而德国的Q-CELL肖特等也大力投入薄膜事业，台湾几乎瞬间投入了超过 10 个薄膜项目，国内的非晶硅龙头拓日新能源顺利上市，新澳集团高调介入等等都显示薄膜正在吸引越来越多的资本和关注；薄膜自身的发电优势和低成本也将会是下降光伏发电成本的一大主要驱动力。
二、薄膜太阳能光伏产业的发展现状和趋势
薄膜太阳能光伏产业主要由CdTe（碲化镉）、 CIS（铜铟硒）/CIGS（铜铟硒镓）、硅基薄膜三类电池组成。
（一） 薄膜太阳能电池定义
薄膜太阳能电池，指在塑胶、玻璃或是金属基板上形成可产生光电效应的薄膜。
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这种薄膜厚度仅需数μm，在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量。
（二） 薄膜太阳能电池分类及应用 CdTe（碲化镉）薄膜
薄膜层为CdTe/CdS（碲化镉）材料的太阳能电池，主要用于光伏发电。
CIS（铜铟硒）/CIGS（铜铟硒镓）薄膜
CIS(Copper Indium Diselenide)或是CIGS(Copper Indium Gallium Diselenide),主要用于光伏发电。
硅基薄膜
主要是指薄膜层带 A-Si的薄膜电池，根据设备的生产工艺可以分为下面的几种：单结A-Si a-si/ uc -si（非晶/微晶）、 双结a-si/uc-si（非晶/微晶）、三结非晶硅等,主要用于光伏发电。
GaAs(砷化镓)薄膜
GaAs Multijuction(多接面砷化镓)在单晶硅基板上以化学气相沉积法成长 GaAs薄膜所制成的薄膜太阳能电池。
具有30%以上的高转换效率，很早就被应用於人造卫星的太阳能电池板。
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新一代的 GaAs(砷化镓)多接面 (将多层不同材料叠层)太阳能电池，如 GaAs、Ge 和 GaInP2三接面电池，可吸收光谱范围极广，转换效率目前已可高达39%，是转换效率最高的太阳能电池种类，而且性质稳定，寿命也相当长。不过此种太阳能电池的价格也极为昂贵，平均每瓦价格可高出多晶矽太阳能电池百倍以上，因此除了太空等特殊用途之外，预期并不会成为商业生产的主流。
色素敏化染料 (Dye-Sensitized Solar Cell)
是太阳能电池中相当新颖的技术产品是由透明导电基板、二氧化钛(TiO2)纳米微粒薄膜、染料(光敏化剂)、电解质和 ITO电极所组成。
此种太阳能电池的优点在於二氧化钛和染料的材料成本都相对便宜，又可以利用印刷的方法大量制造，基板材料也可更多元化。不过目前主要缺点：一是在於转换效率仍然相当低(平均约在7~8%，实验室产品可达 10%)，且在 UV 照射和高热下会出现严重的光劣化现象，二是在于封装过程较为困难(主要是 因为其中的电解质的影响)，因此目前仍然是以实验室产品为主。然而，基於其低廉成本以及广泛应用层面的吸引力， 多家实验机构仍然在积极进行技术的突破。
有机导电高分子(Organic/polymer solar cells)
有机导电高分子太阳能电池是直接利用有机高分子半导体薄膜(通常厚度约为 100nm)作为感光和发电材料。
此种技术共有两大优点：一在於薄膜制程容易(可用喷墨、浸泡涂
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布 等方式)，而且可利用化学合成技术改变分子结构，以提升效率，另一优点是采用软性塑胶作为基板材料，因此质轻，且具有高度的可挠性。
目前市面上已经有多家公司推出该类产品，应用在可携式电子产品如NB、PDA的户外充电上面，市场领导者是美国 Konarka 公司。不过，由于转换效率过低(约4~5%)的最大缺点，因此此种太阳能电池的未来发展市场应该是结合电子产品的整合性应用，而非大规模的太阳能发电。
InP(磷化铟)电池
薄膜层为 InP(磷化铟)材料的太阳能电池，类似于 GaAs 电池，高转换率，高价格，预计很难在发电市场获得应用，主要是太空应用。
Poly-Si （ Crystalline Silicon on Glass）薄膜
德国 Q-CELL 旗下的一个 CSG 公司专注的一种电池，原理就是Crystalline Silicon on Glass （玻璃衬底上直接镀多晶硅薄膜）。暂时没有投产，主要是光伏发电用。
（三）薄膜太阳能光伏产业发展现状
在目前多晶硅原材料成本居高不下的情况下，各厂商纷纷转而寻求技术创新，而近期薄膜技术领域的突破使其成为太阳能电池产业新的热点。
2007年美国First Solar以1.3美元/瓦的低成本，11%左右的转换率，拿下欧洲北美的巨额订单，不受原料限制的大规模生产为薄膜产业
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的发展带来新的活力。随着First Solar在薄膜技术领域的成功，薄膜技术在太阳能光伏产业的应用逐渐升温。
和晶硅太阳能电池相比，薄膜太阳能电池具有以下优势： 1、成本优势明显：多晶硅材料价格较高，薄膜太阳能电池成本优势凸现。
作为太阳能电池和半导体的重要材料，多晶硅国际市场价格一路飙升，从2002年2008年上涨了十几倍，这种利益驱动也促使国内多晶硅项目投资热渐趋升温。然而考虑下游的迅速扩张、供需形势并无根本性改观，2008年上半年多晶硅供应紧张的局面较去年并未得到缓解，价格仍维持高位。
薄膜太阳能电池较少使用晶体硅材料，相对于高昂的晶体硅材料来说这给其成本控制带来很大的下降空间。据测算即使在5MW的生产规模下，非晶硅薄膜太阳能电池组件的生产成本也在2美元/瓦以下，而单线产能达到40MW-60MW甚至更高的全自动化生产线，其产品生产成本则更低。相对于平均3.5美元/瓦的国际市场销售价格而言，其利润空间可见一斑。
2、能量返回期短
转换效率为6%的非晶硅太阳能电池，其生产用电约1.9度电/瓦，由它发电后返回的时间约为1.5-2年，这是晶硅太阳能电池无法比拟的。 3、大面积自动化生产
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目前，世界上最大的非晶硅太阳能电池是Switzland Unaxis的KAI-1200 PECVD 设备生产的1100mm*1250mm单结晶非晶硅太阳能电池，起初是效率高于9%。其稳定输出功率接近80W/片。
商品晶体硅太阳能电池还是以156mm*156mm和125mm*125mm为主。 4、弱光响应好(充电效率高)
上海尤力卡公司曾在中国甘肃省酒泉市安装一套6500瓦非晶硅太阳能电站，其每千瓦发电量为1300KWh，而晶体硅太阳能电池每千瓦的年发电量约为1100-1200KWh。
5、技术突破带来应用新方向：组合建筑，环保又节能
薄膜太阳能电池适合与建筑结合的光伏发电组件(BIPV)：双层玻璃封装刚性的薄膜太阳能电池组件，可以根据需要，制作成不同的透光率，可以部分代替玻璃幕墙，而不锈钢和聚合物衬底的柔性薄膜太阳能电池适用于建筑屋顶等需要造型的部分。将薄膜太阳能电池应用于城市大量的既有和待开发的建筑外立面和屋顶，避免了现有玻璃幕墙的光污染问题，能代替建材，同时发电又节能，将成为未来城市利用光伏发电的主要方向。
当然，以目前的技术水平来说，在非晶硅薄膜太阳能电池应用方面，还存在一些问题：
1、效率低
单晶硅太阳能电池，单体效率为14%-17%(AMO)，而柔性基体非晶硅太阳电池组件（约1000平方厘米）的效率为10-12%，还存在一定差距。
2、稳定性差
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其不稳定性集中体现在其能量转换效率随辐照时间的延长而变化，直到数百或数千小时后才稳定。这个问题一定程度上影响了这种低成本太阳能电池的应用。
3、相同的输出电量所需太阳能电池面积增加
与晶体硅电池相比，每瓦的电池面积会增加约一倍，在安装空间和光照面积有限的情况下限制了它的应用
厂商纷纷投产，薄膜技术应用渐趋升温
薄膜技术的进步给厂商带来了新的发展思路，也正是看到2007年First Solar在薄膜太阳能电池领域的出色表现，各厂商纷纷投产进军薄膜领域。2005年4月夏普开始正式受理薄膜太阳能电池定单。2007年11月底建设新生产线，并于2008年10月夏普举行了供货仪式，将薄膜硅太阳能电池的年生产能力从15MW提高到160MW。国内厂商如津能、南通、孚日股份、金太阳等厂商已经制定投产或扩产计划。
（四）薄膜太阳能光伏产业发展趋势
CdTe（碲化镉）薄膜、CIS（铜铟硒）/CIGS（铜铟硒镓）薄膜和硅基薄膜广泛用于光伏发电，将占据市场主流，成为薄膜太阳能电池中的佼佼者。其发展趋势分别如下：
CdTe太阳能电池具有技术成熟、转换效率高、发电量高、成本低等优势，在2007年其全球出货量约180MW（仅次于硅基薄膜，在薄膜领域排名第二），目前CdTe电池商业化产品效率已超过12﹪。
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截至2008年1月，美国部分企业实验室CdTe组件的转换率高达16.5%，具体到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平。
CIGS 在高光电效率低材料成本的好处下(在实验室完成的 CIGS 光电池，光电效率最高可达约19﹪，就模块而言，最高亦可达约13﹪)。面临三个主要困难要克服：（1）制程复杂，投资成本高；（2）关键原料的供应；（3）缓冲层CdS潜在毒害。
截至2008年2月，全球CIS/CIGS 电池的实验室最高转换率达19.5%，具体到商业化生产中，短时间内很难达到这个水平。
截至 2008 年 2 月，全球硅基薄膜组件主要有三种：单结非晶硅和双结非晶硅组件转换率5%-8% ，双结非晶硅/微晶硅组件转换率 8%-10%，三结非晶硅组件转换率8%左右。不过由于硅基薄膜的基数比较大，就算到 2013年依然是薄膜中的霸主。而目前新上的项目主要是单结非晶硅、双结非晶硅和非晶/微晶硅。其中亚太地区（中国台湾地区等）主要是单结、双结非晶硅日本地区主要是非晶/微晶硅。欧洲主要是双结非晶硅和非晶/微晶硅。美国三结非晶硅占据不错的地位，同时其他非晶薄膜也有涉及。从成本的角度来看，非晶/微晶的成本在硅基薄膜中最高，其次就是三结非晶硅，双结非晶硅，成本最低的就是单结非晶硅，非晶硅薄膜设备投资占据主要成本，而转换率数据除了跟设备有关系外，自己的调试和开发能力也有一定的重要性。
上述列举CdTe（碲化镉）薄膜、CIS（铜铟硒）/CIGS（铜铟硒镓）薄膜和硅基薄膜各产能、产量及市场份额现状和趋势如下表： 全球产能：兆2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 瓦 年 年 年 年 年 年 年
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CdTe CIS/CIGS 硅基薄膜 全球 330 508 1153 1865 2705 3555 3625 464 591.5 721.5 880 1070 126.5 269 434 1468 2090.2680.3119 3746 4158 890.5 2245 3707.5137 6545.8181 8853 CdTe 市场份37.0622.6331.1036.3141.3343.4540.95额 CIS/CIGS 市14.2111.9812.5211.5111.0210.7612.09场份额 硅基薄膜市场48.7465.3956.3952.1847.6545.7946.97份额 全球市场份额 100.0100.0100.0100.0100.0100.0100.0
全球产量： 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 兆瓦 年 年 年 年 年 年 年 CdTe CIS/CIGS 硅基薄膜 180 350 721 1224 1960 2737 3136 25.4 84.5 185.5 341.5 484 627.5 773 217.2 585 1104 1605 2144 2649 3151 全球 422.6 1019.2010.3170.4588 6013.7060 5 5 5 5 CdTe 市场份42.59 34.33 35.86 38.61 42.72 45.51 44.42 额（%） CIS/CIGS 市6.01 8.29 9.23 10.77 10.55 10.43 10.95 场份额（%） 硅基薄膜市场51.40 57.38 54.91 50.62 46.73 44.05 44.63 份额（%） 全球市场份额100.0100.0100.0100.0100.0100.0100.0（%） 0 0 0 0 0 0 0
目前，国内外厂商的纷纷投产促进了薄膜电池市场的快速增长，未来两年伴随各厂商投产产能的释放，薄膜电池市场将稳步提升，2010年其市场份额有望达到15%。
薄膜技术的兴起带动了国内新一轮太阳能光伏产业投资热潮，未来
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3-5年随着薄膜技术的日趋成熟，碲化镉(CdTe)和CIGS等技术将会有新的突破，卷式(roll-to-roll)设备和可印刷铜/铟/镓/硒(CIGS)墨水等设备应用的技术创新也会取得新进展。这将有望进一步带动中国太阳能光伏产业新一轮增长。
特别是 2008 年由于美国应用材料，瑞士 Oerlikon，日本ULVAC 等顶级的设备厂商大量推出标准设备，同时韩国 Jusung，美国XsunX 等设备企业的介入促使全球范围大规模生产非晶硅成为可能，另外一些小尺寸的非晶硅设备企业（比如中国国内的普乐新能源，上海思博露科技，北京的北仪创新，美国的 EPV NanoPV，香港的华基光电，匈牙利的 EnergoSolar， 欧洲的 STF 等相继推出低成本的 5 兆瓦生产线也获得了客户的青睐，设备的驱动及大量资本的进入促使 2007 年和 2008 年称为非晶硅大规模应用的元年，也因此导致晶硅和非晶硅的格局将会因此而改变。
三、薄膜太阳能电池生产厂家概况
（一）国外薄膜太阳能电池生产厂家 见下表 序号 厂家名称 产品类型 （国别） 2007年产量200MW，年成长率达First 1 Solar（美国） 池制造商，是全球前十大太阳能
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产能及其他 CdTe（碲化镉） 233%，成为全球第五大太阳能电电池制造商中唯一专职从事薄膜技术者，也是美国最大的太阳能电池制造商，非晶硅领域全球最大的电池或者电池板公司。 产能约210兆瓦，产量165 兆瓦截至 2007 年年底，产品转换率: 2003 年约 7%，2006 年约 9%，2007 年底约10.5%。 CDTE(碲化镉)电池组件产量产能都是全球第二（仅次于 First Solar），非晶硅电池领域全球核心企业之一。 Antec Solar 2005年产能 10 兆瓦，产量 7.5 2 Energy AG（德CdTe（碲化镉） 兆瓦；2006 年产能还是10兆瓦，国） 产量 7.5兆瓦；2007 年产能达到25兆瓦，当年产量 11 兆瓦；2008-2010 年产能预计还是保持25兆瓦，产量逐步爬升。 另外有2007 年产能为15 兆瓦，ARENDI SRL 3 （意大利） 能为250MW。 CdTe（碲化镉） 三个First Solar的基地总产 12
碲化镉薄膜太阳电池组件全球排Canrom 名第三，非常小规模的实验生产4 PhotovoltaiCdTe（碲化镉） （1 兆瓦产能）。 cs（美国） 2007年产能达到5兆瓦，预计 2009年增加到 25 兆瓦。 CALYXO GMBH5 （Q-Cell）（德国） 全体团队成员大约 30 多人，全部为资深专家，并且研发PrimeStar Solar 6 （GE Energy） （美国） CdTe（碲化镉） 2008年会启动20-30兆瓦的生产线，接着进行更多的扩产，不过最快预计也需要到 2009 年才能够投产。 AVA 公司拥有技术资本市场丰富的管理层，同时有一些资本AVA Solar（美7 国） CdTe（碲化镉） 兆瓦的初产项目（这个项目于 2007 年 9 月试产，无限接近大规模生产的经验），同时在2007 年
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2005 年产能达到 25 兆瓦，预计 CdTe（碲化镉） 2013 年增加到 50 兆瓦。 了转换率高达 16.5%的组件，下一步预计就是规模生产，预计 公司的支持，一期支持了一个 3 获得另外一个资本公司的投资，计划 2008 年年底之前上 200 兆瓦的项目。 2006年产能1.4 兆瓦， Würth Solar8 （德国） 产能25 兆瓦。 日本最大的 CIGS 电池组件公司，也是全球主要的 CIGS 公司HondaSoltec CIS（铜铟硒） 2007 年产能14.8 兆瓦，2008 年CIGS 之一。 9 （日本） （铜铟硒镓） 2007 年6月投产后的产能是 27.5 兆瓦，暂时没有看到官方的扩产计划。 CIGS 领域具有不错的地位，从目前的转换率来看，也是 CIGS 领域具有一定地位的公司，而且从业时间也是比较长的。从转换Global Solar10 （美国） CIGS （铜铟硒镓） 率来看：德国 Würth Solar 11.50%全球 CIGS 最高，Global Solar 9.8% 占据第二， 预计 2008 年产能从 2007 年的 4.2 兆瓦提升到 40 兆瓦，2009 年进一。 14
日本第二大的 CIGS 电池组件公司，，也是全球主要的 CIGS 公Showa Shell 司之一。 11 Solar （日本） 产能，同时开始建设第二期的工厂。 CIGS 电池组件组装， 2007年生产的电池全部运送中国Miasolé、 12 （美国） （铜铟硒镓） 不过预计初期试验合作客户及欧洲客户为主。 是全球首个 CIGSSe 电池企业。Johanna 13 Solar（德国） （铜铟镓硫硒） 80%）另外会有 20%销售到西班牙、意大利等国家或者地区。 美国主要 CIGS 电池组件企业之一。 2008 年初投产首期 1.5 兆瓦Ascent 14 Sola（美国） （铜铟硒镓） 的产能，预计二期产能在 2009 年年底投产。主要销售市场是美国和欧洲市场。
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CIS（铜铟硒） 2007年7月投产一期工厂20兆瓦CIGS 组装，暂时没有公告客户情况，CIGSSe 预计主要市场是德国市场（超过 CIGS 的产能，同时建设二期 25 兆瓦产品实验室转换率可以达到 ISET 15 （美国） （铜铟硒镓） 没有公布任何产能及扩产计划。全球最大非晶硅电池生产企业，只专注于三结。 2007年，以48MW的产量成为薄膜太阳能电池第二大生产商，也是硅薄膜技术的最大生产商。 A-Si/A-SiGe/A-FY2007宣称其电池效率最高可SiGe United Solar （以掺锗的三层16 Ovonic 结构、以可挠式(美国) 的不锈钢金属基87.5 百万美元，利润 8.6 百万板为主力产品） 美元，销量约32 兆瓦，三结 组件均价 约2.73美元 / 瓦； 2007财年20050701-20060630 财年收入 8.5%。 达13%，模组效率最高可达CIGS 13.6%，具有一定的技术实力，但（20060701-20070630）太阳能收入98.4 百万美元，产量 40 兆。 Kaneka 17 Solartech
a-Si/a-Poly-Si 全球第二大的硅基薄膜电池或（双结：非晶/16
者电池板提供商。 （日本） 非多晶） 2007年以48MW的产量成为薄膜太阳能电池第三大生产商。 主力销售产品是玻璃基板的单层a-Si的太阳能电池/模组，模组效率已可达8%。 2005 年电池产能 23 兆瓦，2006 年电池产能约 30 兆瓦，2010 年产能扩产到 130 兆瓦 产量 90 兆瓦。 目前仍多以量产单层a-Si产品为主，其薄膜主力产品是为a-Si/μc-Si的堆叠式(tandem)产品，2007年产量21MW，为薄a-Si/μc-Si/a-膜太阳能电池厂商第五大，也是Sharp Thin 18 Film （日本） Si GaAs （三结：非晶/微晶/非晶砷化镓） 前十大薄膜太阳能电池厂商中唯一商业化量产销售a-Si/μc-Si堆叠式产品的厂商。 2007 年年底之前薄膜产能 15 兆瓦，其中 a-Si/μc-Si （双结）12 兆瓦，GaAs 3 兆瓦，2008 年夏普打算投资 220 亿日本将薄膜产能提升到 160兆瓦（截至
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2008 年 10 月），并且争取 2010 年将薄膜产能提升到 1000兆瓦（2010 年 3 月开始投产）。 SHARP现在与TEL(合资成立设备开发公司“东京ELECTRON PV”)进行大型玻璃基板的生产设备的开发，目前以开发Triple Junction用的PECVD为主，使用的玻璃基板尺吋为1.0mX1.4m。 MHI(Mitsubia-Si/μc-Si shi 19 Industries)微晶） （日本） a-Si Tandem 薄膜电池全球主流企业之一。 Bangkok a-Si Tandem 20 Solar （叠层非晶） 产能最大的几个全球性企业之（泰国） 一。同时也是泰国唯一一个太阳能电池企业。 Sanyo a-Si Single 21 Amorton （非单晶） （日本）
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2002 年单结 10 兆瓦，2007 年扩产非晶/微晶叠层 40 兆瓦； （双结：非晶/Heavy 2007 年产能达到 50 兆瓦，是三洋从1980年即开展这项业务，是产品种类最为齐全的企业，由于这些产品的用量非常少，所以三洋 Amorton 一直保持 5 兆瓦不动。 Schott Solar a- Si/μc-Si 22 Thin Film（德（非晶/微晶） 国） 达到 66 兆瓦。 2007 年产能为 13.25 兆瓦，2007 年 6 月融资 77.5 百万美元准备在数年内递增 85 EPV Solar（美a-Si Tandem 23 国） （叠层非晶） 25 兆瓦的产能计划 2008年达到85 兆瓦的产能，届时总产能达到 100 兆瓦。 全球唯一一个Poly-SiPoly-Si 24 国） 接镀多晶硅薄换率为 7%左右。2005 年开始建膜） 设，2006 年投产 10 兆瓦产能，2007 年投产 20 兆瓦产。 A-Si/A-SiGe 电池组件转A-Si/A-SiGe 富士电机 25 （日本） 晶） film）的双结非晶硅太阳电池，
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首期一条非晶/微晶生产线 33 兆瓦，预计 2010 年递增一条线兆瓦产能的太阳能企业。首期 （Crystalline Silicon on 薄膜组生产企业。CSG Solar（德（玻璃衬底上直Glass）组件转换率 8%左右，属于薄膜领域专（渗锗双层非注的企业塑料衬底（plastic 稳定效率 8％. 2007 年产能 12 兆瓦，2008年 10 月达到 40 兆瓦。 A-Si Ersol Thin a-Si/μc-Si 26 Film （非单晶，非晶/司之一。 （德国） 微晶） Moser Baer Photo 27 Voltaic （印度） （非单晶） 2008 年下半年投产。 a- Si Single 首期 40MW（另追加 565MW，实际投资金额约 15 亿美元），预计40 兆瓦产能，全球主要的大型公Single, 2007 年年底 A-Si Single 薄膜
（二）国内薄膜太阳能电池生产厂家 序号 厂家名称（地产品类别 区） 同时生产销售单晶硅、多晶硅、非晶硅电池； 2005 年非晶硅电池产量 4.6 兆拓日新能源1 （深圳） （叠层非晶） 非晶硅电池产量 8.73 兆瓦（产能10兆瓦），2007 年保持非晶硅产能 10 兆瓦，产量预计 9.5 兆
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产能及其他 a- Si Tandem 瓦（产能 6 兆瓦），；而 2006年 瓦。国内最大的非晶硅企业之一。2003 年成立并宣布进行非晶硅北京世华 2 （北京） （叠层非晶） 为 10 兆瓦，暂时没有任何生产线投产。 中国建材 a- Si Tandem 3 国际工程 （叠层非晶） （蚌埠） 台湾第一家生产太阳能非晶硅大丰能源 a- Si Tandem 4 科技 （叠层非晶） （台湾竹南） 2006 年及以前的产能是 3 兆瓦，2007 年产能 18 兆瓦。 2006 年非晶硅电池的产量 2.5 天津津能 5 （天津） （叠层非晶） 2007 年产量 5 兆瓦，国内薄膜仅次于深圳拓日。 a- Si Single, 截止 2007 年 11 月，大面积已普乐新能源6 （安徽蚌埠） （叠层非单晶） 在6%左右，稳定效率5.7%。 深圳创益 7 （深圳）
a-Si Tandem 太阳能生产线的建设，设计产能09年拟定两年内计划上100MW的薄膜太阳能电池。 电池的企业，，同时也是目前台湾地区薄膜电池最大的生产企业。A-Si Tandem 兆瓦，国内非晶硅领域排名靠前， Tandem 经做到 45W，大面积的初始效率A-Si Single 2006 年 A-Si Single 单结非晶（叠层非晶） 硅电池产量 2.5 兆瓦，非晶硅21
领域前5 名 ； A-Si Single 电池转换率应该在 5.0%左右。 规划从 2006 年到 2010 年，分三期建成拥有年产 100 至 150 兆瓦。 预计没有电池组件或者电池方深圳日月环8 （深圳） （叠层非单晶） 品。 单结非晶硅转换率应该是 5%以黑龙江哈克9 （哈尔滨） （叠层非单晶） 在 500 万元人民币以内。 到 2010 年年产非晶硅薄膜新奥集团 10 a-Si Tandem 太阳能电池 500MW，首期 50 兆A- Si Single 内。主要国内销售。预计销售额A- Si Single 面的产品，主要提供一些下游产双结非晶硅（预计转换率 6%（河北廊坊） （叠层非晶） 瓦，左右）。 2008 年年底开始投产（产能 40 无锡尚德 a-Si/μc-Si 兆瓦）），2009 年递增产能到50 11 （上海） （非晶/微晶） 兆瓦，刚开始的转换率 6%左右，采用非晶/微晶双结。 绿能科技 12 （台湾桃园）
a-Si Single 2008 年年底 30 兆瓦，2009 年（非单晶） 22
年底 50 兆瓦。 2008 年第二季度 20 兆瓦 ；第a-Si Single 富阳光电 13 （台湾桃园） 2009 年新增一条达到 60 兆 该公司主要以专注研发转换效率大于 8.5%之双藕合(dual 宇通光能 14 （台湾台南） （非晶/微晶） 阳能电池。 预估完成 设备安装后 初期单条线 的产能为60百万瓦 威海蓝星泰a- Si Tandem 15 瑞光电 （叠层非晶） （威海） 吉富中国投a- Si Single 后再导入微晶硅设备，升级为双16 资 （非单晶） 结非晶硅/微晶硅，产能可增（山东烟台） 14MW，至 64MW） 25MW（1 条线）单结非晶硅（可联相光电 17 （台湾台中） （非单晶） 产线 32 兆瓦），量产时间2008 年第一季度（3 月份）投产。
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三季度 40 兆瓦，首期 2 条生（非单晶） 产线，每条产能 20 兆瓦；计划 a- Si/μc-Si junction)非晶／微晶硅薄膜太 无法参考。 50MW（2 条线）单结非晶硅（之a- Si Single 以升级为双结非晶硅/微晶硅生25MW（1 条线）单结非晶硅（可旭能光电 18 （台湾台中） （非单晶） 产线 32 兆瓦），2008 年年中（6-8 月份）投产 强生光电 19 （南通） 源畅光电 20 （常州） （叠层非晶） 生产线总计 155 兆瓦。 从事非晶硅光电薄膜电池的生产和销售，投资建设初期赣能华基新a- Si Tandem 21 能源 （叠层非晶） （江西） 的非晶硅光电薄膜电池生产线。 中山铨欣照a-Si Tandem 22 明电器 （叠层非晶） （中山） 浙江慈能光23 伏（杭州） （叠层非晶） a- Si Tandem 产能：10 兆瓦。 2008 年（截止 2008 年 5 月 8 日已经 10 兆瓦全部投产）。 终规模十条（年产能 50MW）规模一条（年 产能 5MW）、最（叠层非晶） 站报道）产能25 兆瓦。 第一条 5 兆瓦生产线于 2007 a- Si Tandem 年8 月投产，后续增加到 31 条a-Si Tandem 2008 年 1 月投产（公司网a- Si Single 以升级为双结非晶硅/微晶硅生 24
2007 年年底10兆瓦投产（2 条 沈阳汉锋 24 （沈阳） （叠层非晶） 线）。 全部产能 90 兆瓦，设计产能每A- Si/A-SiGe/A尤尼索拉津-SiGe 25 能 （三结：渗锗三（天津） 层结构） 天津津能合资。 主要生产柔性薄膜太阳能电池； 公司制造生产的柔性薄膜电池A-Si/A-SiGe/A-组件产品已全面通过迅力光能 26 （昆山） （三结：硅锗三ETL质量安全认证。迅力光能是层结构） 目前世界上极少数有能力生产通过UL1703认证标准的柔性光伏组件的企业之一。 附注：
国内厂商存在问题：产量少；效率低；稳定性差；面积小；外观不均匀。
SiGe ANSI/UL1703标准测试，并获得投资商：美国联合太阳能公司与兆瓦/条线。 条线 25 兆瓦 ，实际产量达 30 a-Si Tandem 5 兆瓦的非晶硅自动化生产
四、总结
专家观点和总结罗列如下：
1. 多晶硅材料的持续紧缺及光伏下游市场保持强势成就了薄膜的
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高速启动，2007年的 FirstSolar 可以说让薄膜在光伏领域发光，也让薄膜成为太阳能内部又一金矿。
2. 低成本（1.30 美元/瓦或者以下）中等转换率（10%左右或者更高）没有原料瓶颈（短 期内薄膜都没有原料瓶颈）规模化生产的薄膜项目获得投资者和市场的青睐；
3. CdTe CIS/CIGS 硅基薄膜，三者同时高速发展，其中硅基薄膜的增速约 70%，而另外两个都超过 100%；
4. CdTe 以 First Solar 为龙头，具有超高利润率及超大规模的产能，促使他们在2013 年左右成为薄膜领域的龙头；
5. 硅基薄膜在中国大陆和台湾地区获得大范围的投入和欢迎，而且未来将成为全球范围的制造重镇；
6. 硅基薄膜已经逐步放弃传统的单结非晶硅，全面转向双结非晶硅和非晶/微晶叠层；
7. CdTe 薄膜基本上北美国和德国的企业垄断，短期内难以扩散到其他地区；
8. CIS/CIGS 基本上是美国德国日本企业垄断，短期内保持三巨头的格局；
9. 硅基薄膜的发展最为均衡，不但美、中、日、德、中国台湾具有比较均衡的比重，而且印度、泰国、西班牙、希腊、意大利、瑞士等众多国家或者地区也同样投产了产品，并且印度的扩产目标和步阀都非常迅速；
10. 薄膜由于低成本的优势，从长远的角度来说，也许是促使太
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阳能光伏发电媲美 传统能源成本的解决方案，因此薄膜的未来一片光明。
五、建议
大陆尤其是广东应当抓住的机遇，自主研发大规模生产技术及核心设备技术（PECVD/溅射设备/专用激光/APCVD），实现高效率大面积低成本生产每瓦1美元的目标。
下表为年产20MWp生产线非晶硅电池组件的成本（RMB），稳定效率>6%，组件面积100mm*100mm。
5mm浮法电极材料各种材料 五金备品其它劳防玻璃及导及封装材工具 气体 材料 备件 材料 用品 其它 电膜 每瓦成本 料 (元/3.71 2.67 瓦) 小计 附：
3.91 0.035 0.05 0.31 0.02 0.01 3.12 12.58 27
其中：PECVD是指等离子体增强化学气相沉积系统。
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