专利名称：存储单元和存储阵列专利类型：实用新型专利
发明人：王晓光,平尔萱,吴保磊,吴玉雷申请号：CN202021152513.1申请日：20200619公开号：CN212391999U公开日：20210122
摘要：本实用新型实施例公开了一种存储单元和存储阵列，该存储单元包括位线、隧道结和四个存取晶体管；各存取晶体管至少包括有源区；该有源区包括源极，各存取晶体管的源极均与隧道结的第一端电连接；隧道结的第二端与位线电连接，且位线沿第一方向延伸；各存取晶体管的有源区相互隔离；各存取晶体管的有源区的长边延伸方向相同，且存取晶体管的有源区的长边延伸方向与第一方向具有第一夹角θ；其中，θ为非直角。本实用新型实施例的存储单元具有较小的尺寸，从而将该存储单元应用于存储阵列中时，能够提供存储阵列较大的集成度。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：成丽杰
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