专利名称：一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉
积制备高质量铟薄膜的方法
专利类型：发明专利
发明人：毕金莲,敖建平,高青,张照景,孙国忠,周志强,何青,张
毅,孙云
申请号：CN201710664869.X申请日：20170807公开号：CN107507874A公开日：20171222
摘要：一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌，影响薄膜成分和厚度均匀性，对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InCl或In(SO)水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流密度、脉冲频率和占空比控制金属形核和生长过程，降低晶核尺寸，形成平整致密薄膜。
申请人：南开大学
地址：300071 天津市南开区卫津路94号
国籍：CN
代理机构：天津耀达律师事务所
代理人：侯力
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