专利名称：磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺专利类型：发明专利
发明人：陈诺夫,杨霏,尹志岗,柴春林,吴金良申请号：CN03158500.0申请日：20030910公开号：CN1594648A公开日：20050316
摘要：一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)选择Si单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；2)将Si单晶衬底材料送入磁控溅射仪；3)加温，生长碳化硅薄膜；4)退火；5)完成制备碳化硅薄膜工艺。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
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