专利名称：一种IC电磁屏蔽层接地结构及其加工工艺方法专利类型：发明专利发明人：刘浩,段贤生,林建涛申请号：CN202010514715.4申请日：20200608公开号：CN111627890A公开日：20200904
摘要：本发明涉及一种IC电磁屏蔽层接地结构及其加工工艺方法，其中，IC电磁屏蔽层接地结构，包括PCB基板，设于PCB基板上的芯片，芯片的一侧设有SMT元器件，PCB基板的中心位置还设有基板面接地引脚，基板面接地引脚联接有金属导线。本发明通过金属线与基板面接地引脚焊接引出形成接地导线，在PCB基板切割时控制切割深度，不需要切割到PCB基板内部接地导线露出的深度，可以直接对整片PCB基板进行金属屏蔽层的压合或溅镀，减少了金属屏蔽层材料浪费，还可以通过控制基板面接地引脚上的焊线的数量，灵活控制接地导线与金属屏蔽层的接触面积，从而减少对PCB基板中的接地导线截面的大小的依赖，得到更好导通效果。
申请人：东莞记忆存储科技有限公司
地址：523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业东路32号
国籍：CN
代理机构：深圳市精英专利事务所
代理人：巫苑明
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