第３６卷第５期 ２００７年ｌＯ月 人 工 晶 体 学 报 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＹＮＴＨＥＴＩＣ ＣＲＹＳＴＡＬＳ Ｖｏ１．３６ Ｎｏ．５ Ｏｃｔｏｂｅｒ．２００７ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｈｅ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｒ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｉｅｓ ｏｆ Ｒｂ＋ｏｒ Ｃｓ＋Ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ＣＨＡＮＧ Ｘｉｎ—ａｎ，ＺＡＮＧ Ｈｅ－ｇｕｉ，ＣＨＥＮ Ｘｕｅ－ａｌｌ，，ＸＩＡＯ Ｗｅｉ－ｑｉａｎｇ，ＺＨＡＮＧ Ｓｈｕ－ｆｅｎｇ （Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００２２，Ｃｈｉｎａ） （Ｒｅｃｅｉｖｅｄ １９ Ｊ嘶２００７，ａｃｃｅｐｔｅｄ２４ Ｊ ２００７） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｒｂ ：ＫＴＰ ａｎｄ Ｃｓ ：ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｇｒｏｗｎ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ ｂｙ ｓｌｏｗ ｃｏｏｌｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｉｎ ＫＴＰ－ Ｋ６ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ｗｉｔｈ ５ ｍｏ１％Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ ．Ｉｔ ｉｓ ｆｏｕｎｄ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔｌ ｇｒａｏｗｔｈ ｈａｂｉｔ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｃｈａｎｇｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ．Ｔｈｅ ｄｉｓｔｉｒｂｕｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ ｏｆ Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ ｉｎ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｇｒｏｗｔｈ ｓｙｓｔｅｍ ａｒｅ ０ ６４６ ａｎｄ ０．０８ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ａ０ ａｎｄ ｂ０ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ａｌｅ ｓｌｉｇｈｔｌｙ ｌｏｎｇｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｏｓｅ ｏｆ ｐｕｒｅ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａ１．Ｂｙ ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｏｆ Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ ．ｔｈｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ａｌｏｎｇ ｃ－ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌ ｄｅｃｒａｅａｓｅ ｏｂｖｉｏｕｓｌｙ，ｂｕｔ ｔｈｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌ ｉａｎ ｗａｖｅ ｒａｎｇｅ ｏｆ ３５０－１ １００ｎｍ ｈａｖｅ ｎｏｔ ｂｅ ａｆｆｅｃｔｅｄ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌ；ｇａｒｏｗｔｈ ｈａｂｉｔ；ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｃｉｅｎｔ；ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｆｏｎ；ｃ－ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ＣＬＣ ｎｕｍｂｅｒ：０７８ Ｄｏｃｕｍｅｎｔ ｃｏｄｅ：Ａ Ａｒｔｉｃｌｅ ＩＤ：１０００－９８５Ｘ（２００７）０５－１０５２．０４ 单掺Ｒｂ 和Ｃｓ 的ＫＴＰ晶体生长及其电导率 常新安，臧和贵，陈学安，肖卫强，张书峰 （北京工业大学材料科学与工程学院，北京１０００２２） 摘要：采用高温溶液降温法在掺质浓度均为５ｍｏ１％的ＫＴＰ． 溶液中分别生长了单掺Ｒｂ 和Ｃｓ 的ＫＴＰ晶体，发现 掺质改变了晶体生长习性，在相应生长体系中掺质Ｒｂ 和Ｃｓ 的分配系数分别为０．６４６和０．０８，掺质ＫＴＰ晶体的 晶胞参数００和６０比纯ＫＴＰ晶体者略有增长。通过掺Ｒｂ 或Ｃｓ ，ＫＴＰ晶体的ｃ向电导率明显降低，但晶体在３５０ ～１ｌＯＯｎｍ范围内的光透过性质未受影响。 关键词：掺质ＫＴＰ晶体；生长习性；分配系数；透过；ｃ向电导率 １ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ＫＴＰ ａｎｄ ｉｔｓ ｆａｍｉｌｙ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｃｒｙｓｔｌｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｓｔｕｄｉａｅｄ ａｎｄ ｆｏｃｕｓｅｄ ｏｎ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｏｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｉｎｃｅ ｔｈｅｙ ｈａｙｅ ｂｅｅｎ ｄｉｓｃｏｖｅｒｅｄ ｆｏｒ ｏｖｅｒ ｔｈｉｒｔｙ ｙｅａｒｓ．Ｔｈｅｒｅ ａｒｅ ｓｏｍｅ ｒｅｐｏｒｔｓ ｏｎ ｏｐｔｉｃ ｗａｖｅ ｇｕｉｄｅ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌ ａｎｄ ｓｅｌａｆ ｄｏｕｂｌｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｖ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔ１．Ｉｎ ｆａａｃｔ，ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌ ｎｏｔａ ｏｎｌｙ ｉｓ ａ ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｃｒｖｓｔａ１．ｂｕｔ ａｌｓｏ ｈａｓ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ ｅｌｅｃｔｒｏ．ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ．Ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｏ－ｒｏｐｔｉｃａｌ ｃｒｙｓｔｌｓａ ＤＫＤＰ【Ｋ （Ｄ Ｈ１ ）２ＰＯ４］ａｎｄ ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３），ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌａ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ａｐｐｌｉｅｄ ｕｎｉｖｅｒｓａｌｌｙ，ｗｈｉｃｈ ｈａｓ ｍａｎｙ ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ｓｕｃｈ ａｓ ｈｉｇｈｅｒ ｌａｓｅｒ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ．１ｏｗｅｒ ｈａｔ ｗａｖｅ ｖｏｌｆｔａｇｅ，ｓｍａｌｌｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｉｒｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ，ｗｉｄｅｒ ｗａｖｅ ｌｅｎｇｔｈ ｒａｎｇｅ（０．３５－４． Ｒｅｃｅｉｖｅｄ ｄａｔｅ：２００７－０７—１９；ａ咄ｐｔｅｄ ｄａｔｅ：２００７－０７－２４ Ｂｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＨＡＮＧ Ｘｉｎ．ａｎ（１９６１一），Ｍａｌｅ，ｆｒｏｍ Ｈｅｂｅｉ ｐｒｏｖｉｎｃｅ，Ａｓｓｏｃｉａｔｅ ｐｒｏｆｅｓｓｏｒ．Ｅ－ｍａｉｌ：ｃｈａｎｇｘｉｎａｎ＠ｂｊｕｔ・ｅｄｕ・ｃｎ 维普资讯 http://www.cqvip.com 第５期 ＣＨＡＮＧ Ｘｉｎ－ａｎ ｅｔ ａｌ：Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｈｅ Ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｉｅｓ ｏｆ Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ Ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ Ｃｒｙｓｔａｌｓ １ ０５３ ———————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————— ● ４ ｍ）ｆｏｒ ｌｉｇｈｔ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ，ｈｉｇｈｅｒ ｈｅａｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，ｈａｖｉｎｇ ｎｏ ｍｏｉｓｔｕｒｅ ａｂｓｏｒｐｔｉ０ｎ ａｎｄ ｅａｓｙ ｔ０ ｐｒ０ｃｅｓｓ． Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｉｓ ａｌｓｏ ａｌｌ ｅｌｅｃｔｒｏ－ｏｐｔｉｃａｌ ｍａｔｅｒｉａｌ ｗｉｔｈ ｖｅｒｙ ｇｏｏｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ． ｈｅ ｓｔｕｄｉｅｓ ａｂｏｕｔＴ ｅｌｅｃｔｒｏ’ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｒｅｐｏｒｔｅｄ ｓｉｎｃｅ １ ９８０． Ｆ０ｒ ｅｘａｍｐ１ｅ，ｔｈｅ ．ｅｌｅｃｔｒｏ’ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ—ｙ２３ ａｎｄ—ｙ３３ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｒｏｕｇｈｌｙ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｉｎ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｄ０ｕｂｌｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔｉ０ｎ ｅ ｗｉｔｈ Ｍａｓｓｅｙ ｉｎ １ ９８０，ａｌｌ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｉｒｃ－ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｄｅｔｅｎｎｉｎｅｄ ｗｉｔｈ ｉｎｔｅ ｌｅｒｅｎｃｍｅｔｈｏｄ ｂｙ Ｂｉｅｒｌｅｉｎ ｉｎ １９８６ ａｎｄ ｂｙ Ｙｉｎ Ｘｉｎ ｉｎ １９８８［２，３１ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙＢｕｔ ａｓ ａｎ ｅｌｅｃｔｒ０．０ｐｔｉｃａ１ ｍａｔｅｒｉａ１ｔｈｅｒｅ ａｒｅ ．，ｓｏｍｅ ｓｐｅｃｉａｌ ｄｅｍａｎｄｓ ｉｎ ｏｐｔｉｃａｌ ｑｕａｌｉｔｙ，ｃｒｙｓｔａｌ ｓｉｚｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ａｎｄ ｓｏ ｏｎＩｎ ａｄｄｉｔｉ０ｎ．ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａ１ ，．ａ ｃｒｙｓｔａｌ ｗｉｔｈ ｔｗｏ ｏｐｔｉｃａｌ ａｘｅｓ ａｎｄ ｃｏｍｐｌｅｘ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓＳｏ ｔａｋｉｎｇ ＫＴＰ ａｓ ａｎ ｅｌｅｃｔｒｏ－ｏｐｔｉｃａ１ ｃｒｙｓｔａ１ ．ｄｅｖｅｌｏｐｓ ｓｌｏｗｌｙ・ Ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ａｐｐｅａｒａｎｃｅ ｏｆ ｈｉｇｈ ｐｏｗｅｒ ａｎｄ ｌｏｎｇ ｗａｖｅ ｌａｓｅｒ ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ，．ｓｕｃｈ ａｓ ｈｉｇｈ ａｖｅｒａｇｅ ｐｏｗｅｒ ｄｉｏｄｅ ｐｕｍｐｉｎｇ Ｔｍ：ＹＡＧ ｌａｓｅｒ ｓｙｓｔｅｍ（Ａ＝２．０２ ｍ）ａｎｄ Ｅｒ：ＹＡＧ ｌａｓｅｒ ｓｙｓｔｅｍ（Ａ＝２９０ ｍ），ｉｔ ｉｓ ｏｂｖｉｏｕｓ ｔｈａｔ ＤＫＤＰ ｃｒｙｓｔａｌ（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｗａｖｅ ｌｅｎｇｔｈ ｒａｎｇｅ ｉｓ ０．２－２．０ ｍ）ａｎｄ ＬＮ ｃｒｙｓｔａ１（ｈａｓ １０ｗｅｒ １ａｓｅｒ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ）ｃａｎ＂ｔ ｍｅｅｔ ｔｈｅ ｎｅｅｄｓ ｏｆ ｔｈｅｓｅ ｓｙｓｔｅｍｓ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ｉｔ＇ｓ ｖｅｒｙ ｉｍｐｅｒａｔｉｖｅ ｔｈａｔ ｎｅｗ ｅｌｅｃｔｒ０—０Ｄｔｉｃａ１ ｃｒｙｓｔａ１ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｒｅ ｅｘｐｌｏｒｅｄ，ｄｉｓｃｏｖｅｒｅｄ ａｎｄ ｓｔｕｄｉｅｄ． Ｉｎ ｔｈｉｓ ｒｅｓｐｅｃｔＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｂｅｃｏｍｅｓ ｔｈｅ ６ｒｓｔ ｅｌｅｃｔｉｏｎ ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｉｔ ，ｓ， ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ａｓ ｔｈｅ ａｂｏｖｅ ｍｅｎｔｉｏｎｅｄ． Ｓｏ ｔｈｅ ｓｃｉｅｎｔｉｓｔｓ ｐａｙ ａｔｔｅｎｔｉｏｎ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｌｙ ｔｏ ｓｔｕｄｙ ｏｎ 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Ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ２．１．１ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ＫＨ２ＰＯ４（Ａ・Ｒ．），Ｋ２ＨＰＯ４‘３Ｈ２Ｏ（Ａ．Ｒ．），ＴｉＯ２（Ｓ．Ｐ．），Ｒｂ２ＣＯ３（Ｃ．Ｐ．），Ｃｓ２ＣＯ３（ＣＰ．） ． ２．１．２ Ｔｈｅ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｆｏｒ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｈｅ ｓｏｌＴｕｔｉｏｎ ｆｏｒ ｃｒｙｓｔｌ ｇａｒｏｗｔｈ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｒｅａｃｔｉｏｎｓ ａｓ ｂｅｌ０ｗ ａｔ ｔｈｅ ｃｏｎｄｉｔｉ０ｎ ０ｆ ｈｅａｔｉｎｇ： ２ＫＨ２ＰＯ４＋２Ｋ２ＨＰＯ４・３Ｈ２Ｏ：Ｋ６Ｐ４Ｏｌ３＋９Ｈ２Ｏ Ｔ ＫＨ２ＰＯ４＋ＴｉＯ２：ＫＴｉＯＰＯ４＋Ｈ２Ｏ ｔ ｈｅ Ｋ６Ｐ４０ｌＴ３（Ｋ６）ｉｓ ｔｈｅ ｓｏｌｖｅｎｔ ａｎｄ ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）ｉｓ ｔｈｅ ｓｏｌｕｔｅ．Ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｉ０ｎ ｉｓ ０ｂｔａｉｎｅｄ ｂｖ ｔｈｅ ａｄｄｉｔｉ０ｎ ｏｆ Ｒｂ２ ＣＯ３ ｏｒ Ｃｓ２ ＣＯ３ ｔｏ ｔｈｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙＴｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｉ０ｎ Ｒｂ ０ｒ Ｃｓ ｊｎ ｔｈｅ ｓ０ｌｕｔｉ０ｎ ｉｓ ．５ ｍｏ１％ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｋ ． Ａｔ ｌａｓｔ，ｔｈｅ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｆｏｒ ｄｏｐｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｐｒｅｐａｒｅｄ． ２．１．３ Ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｄｏｐｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｉｎ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｇａｒｏｗｎ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ ｂｙ ｓｌｏｗｃｏ０ｌｉｎｇ －ｍｅｔｈｏｄ，ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｐｅｒｉｏｄｓ ａｒｅ ２６ ａｎｄ ２４ｄ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒａｎｇｅｓ ｏｆ ｇｒｏｗｔｈ ａｒｅ ８７４．８５４￣Ｃ ａｎｄ ８６３． ，８ ５ ３ ｃ（二．Ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ ａｒｅ ｃｏｌｏｒｌｅｓｓ，ａｎｄ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｉｚｅｓ ａｒｅ ５ ｍｍ×１ ４ ｍｍ×８ ｍｍ ａｎｄ ６ ｍｍ×１ ５ ｍｍ×９ ｍｍ 维普资讯 http://www.cqvip.com
１０５４ 人工晶体学报 第３６卷 ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ ｆｏｒ Ｒｂ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ａｎｄ Ｃｓ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ．Ｔｈｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｈａｂｉｔ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｉｓ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｆｒｏｍ ｔｈａｔ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ，ｉｎ ｔｈｅ ｄｏｐｅｄ ｇｒｏｗｔｈ ｓｙｓｔｅｍ，ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｇｒｏｗ ｏｎｌｙ ａｌｏｎｇ ｂ ａｎｄ ｃ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎｓ， ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ ｉｎ ａ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｉｓ ｎｅａｒｌｙ ｚｅｒｏ；ａｎｄ ｔｈｅ ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ＫＴＰ ｉｎ Ｋ６ ｗｉｌｌ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｗｈｅｎ ｔｈｅ ｄｏｐａｎｔ Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ ｉｓ ａｄｄｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｓｏｌｕｔｉｏｎ． ２．１．４ Ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ＣＯｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｄｏｐｉｎｇ ｉｏｎｓ ｈｅ ｃｏｎｔｅｎｔｓ ｏｆ ｄｏｐｉｎｇ ｉｏｎｓ ｉｎ ｔｈｅ ｃｒＴｙｓｔａｌｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｂｙ ＩＣＰ—ＡＥＳｄｏｐｉｎｇ ｉｏｎｓ ｉｎ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｓｙｓｔｅｍ ａｒｅ ｌｉｓｔｅｄ ｉｎ Ｔａｂｌｅ １． Ｔａｂｌｅ １ Ｔｈｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ ｏｆ ｄｏｐｉｎｇ ｉｏｎｓ ｉｎ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｓｙｓｔｅｍ ，ａｎｄ ｔｈｅ ｄｉｓｔｉｂｕｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｒｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｉｔ ｉｓ ｏｂｖｉｏｕｓ ｔｈａｔ ｄｏｐｉｎｇ ｉｏｎｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ａｄｄｅｄ ｉｎｔｏ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙ．Ｂｅｃａｕｓｅ ｔｈｅ ｒａｄｉｕｓ ｏｆ Ｃｓ （０．１６９ｎｍ）ｉｓ ｂｉｇｇｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ Ｒｂ （０．１４８ｎｍ），ｉｔ ｉｓ ｍｏｒｅ ｄｉｆｉｃｕｌｔ ｔｏ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅ Ｋ （ｒ＝０．１３３ｎｍ）ｂｙ Ｃｓ ｔｈａｎ ｂｙ Ｒｂ ｉｎ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ＳＯ ｔｈｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｃｉｅｎｔｆ ｏｆ Ｒｂ ｉｓ ｂｉｇｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ Ｃｓ ｉｎ ｃｒｙｓｔａｌ ｒｏｗｇｔｈ ｓｙｓｔｅｍ． ２．２ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｉａｔｔｉｃｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｔｈｅ ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｏｆ Ｒｂ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ａｎｄ Ｃｓ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｅｘａｃｔｌｙ ｂｙ Ｘ— ｒａｙ ｆｏｕｒ—ｃｉｒｃｌｅ ｄｉｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｉＳ ｌｉｓｔｅｄ ｉｎ Ｔａｂｌｅ ２． Ｔａｂｌｅ ２ Ｔｈｅ ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｔａｂｌｅ ２ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｃｅｌｌｓ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ ａｒｅ ｓｌｉｇｈｔｌｙ ｂｉｇｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｐｕｒｅ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａ１，．Ｂｅｃａｕｓｅ ｔｈｅ ｒａｄｉｉ ｏｆ ｄｏｐｉｎｇ ｉｏｎｓ ｗｈｉｃｈ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅ Ｋ ｉｎ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａａｒｅ ｂｉｇｇｅｒ ｔｈａｎ Ｋ ｉｏｎｂｕｔ ｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｄｏｐｉｎｇ ｉｏｎｓ ａｒｅ ｒｅｌａｔｉｖｅｌｙ ｌｏｗ ｉｎ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａ１． ２．３ Ｔｈｅ ｔｒａｎ圊 ｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｈｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉＴｏｎ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ Ｒｂ：ＫＴＰ ａｎｄ Ｃｓ：ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｂｙ ＣＡＲＹ ２３９０ Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｒｅ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．１． Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ／ｎ／ｌｌ （ａ） （ｂ） Ｆｉｇ．１ Ｔｈｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｔｈｅ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ 维普资讯 http://www.cqvip.com 第５期 ＣＨＡＮＧ Ｘｉｎ—ａｎ ｅｔ ａｌ：Ｓｔｕｄｙ。ｎ ｔｈｅ Ｇｒ。ｗｔｈ ａｎｄ Ｃｏ—ｎｄｕｃｔｉｖｉｔｉｅｓ ｏｆ Ｒｂ￣ｏｒ Ｃｓ￣Ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ Ｃｒｙｓｔａｌｓ １０５５ —Ｉｔ ｉｓ ｃａｎ ｂｅ ｓｅｅｎ ｆｒｏｍ Ｆｉｇ．１ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｃｕＩ、，ｅｓ ｏｆ ｄｏＰｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌａｓ ａｒｅ ｓｉｍｉｌａｒ ｔｏ ｔｈａｔ ｏｆ ｐｕｒｅ Ｋ Ｉ甲， ｔｈｉｓ ｉｓ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｆａｌｃｔ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｉ眦 ｏｎ Ｒｂ ａｎｄ Ｃｓ ｉｎ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｄｏｎｔ ａｂｓｏｒｂ ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ｗａｖｅ ｌｅｎ￣ｈ ｒａｎｇｅ ｏｆ ３５０．１ １００ｎｍ．Ｔｈａｔ ｉｓ ｔｏ ｓａｙ，ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌｍ ｑｕａｌｉｔｙ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｏｎｔ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｄｕｏ ｔｏ ｄｏｐｉｎｇ・ ２．４ Ｔｈｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖＲｉｅｓ ｏｆ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｂｙ。ｒｉｅｎｔｉｎｇ，ｃｕｔｔｉｎｇ，ｇｒｉｎｄｉｎｇ ａｎｄ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ａｎｄ ｓｏ ｏｎ，ＫＴＰ ａｎｄ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌａｓ ｈａＶｅ ｂｅｅｎ ｐｍｃｅｓｓｅｄ ｔ。 州＿｛堇 ｒｅｓｉｓｔａｒｉｃｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅｓ，ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｉｓ ｌｉｓｔｅｄ ｉｎ Ｔａｂｌｅ ３ ｃ ∞ ｌ舌＿亘 ｍ ｍ －叽 Ａｓ ｗｅ ｅｘｐｅｃｔｅｄ ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ一 ｔｈｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｏｂｖｉｏｕｓｌｙ ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｏｆ Ｒｂ＋ｏｒ Ｃｓ＋．ａｎｄ Ｃｓ＋ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔ小 ｛Ｂ ａｌ ｉｓ ｍｏｒｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｏｎ ｄｅｃｒｅａｓｉｎｇ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｔｈａｎ Ｒｂ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｎ，ｓｔａｌ ａｌｔｈｏｕｇｈ ｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｆｏｒｍｅｒ ｉｎ ｃｒ２；＿茔 ｙｓｔａｌ ｉｓ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｔｈｅ ｌａｔｅｒ．Ｔｈｉｓ ｉｓ ｂｅｃａｕｓｅ Ｃｓ。ｉｓ ｂｉｇｇｅｒ ｔｈａｎ Ｒｂ＋．ｉｆ ｉｔ ｉｓ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ｆ∞ ｏｒ Ｋ ，ｉｔ ｃａｎ ｂｌｏｃｋ ｔｈｅ Ｋ ｐａｓｓａｇｅｗａｙ ａｌｏｎｇ ｃ—ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｉｎ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌａ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｍｏｒｅ ｅ￡ ｃｔｉｖｅ１ｖ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｓｍａｉｌｅｒ ｏｎｅ，Ｒｂ ．Ｓｏ ｉｔ ｃａｌ＝删 善ｗ 呻 ｌ ｂｅ ｐｒｅｄｉｃｔｅｄ ｏｐｔｉｍｉｓｔｉｃａｌｌｙ ｔｈａｔ ｉｆ ｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔ ｏｎ ｏｆ Ｃｓ‘ｏｒ Ｒｂ＋ｉｎ ｇｒｏｗｔｈ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｔｏ ａ ｃｅｒｔａｉｎ ｖａｌｕｅ，ｔｈｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｉｎ ＡＣ ｆｉｅｌｄ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｗｉｌｌ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｔｏ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ １．００×１０加Ｑ～ｃｍ一，ｔｈｅｎ ｉ｛８ ｔ ｃａｎ ｓａｔｉｓｆｙ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏ—ｏｐｔｉｃａｌ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ． ３ Ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎｓ ¨＿叫 ｎ 呈∞ ｉ （１）Ｒｂ＋。ｒ Ｃｓ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒ＿｛｝ ｙｓｔｌａｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｇｒｏｗｎ ｒｅｓｐｅｃｔｉｒｅｌｙ ｉｎ ｃ。ｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｓ。ｌｕｔｉ。ｎｓ ｂｙ ｓｌｏｗ—ｃｏｏｌｉｎｇ ｍｅｔｈ。ｄ．Ｂｅｉｎｇ ｄｉｆｅ ｎｔ ｆｒｏｍ ｐｕｒｏ ．虽 ｅ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ，ｔｈｅ ｄｏｐｅｄ ｃｒｙｓｔｌａｓ ｇｒｏｗ。ｎｌｙ ａｌｏｎｇ ｂ ａｎｄ ｃ—ｄｉｒｅｃｔｉ。ｎｓ，ｔｈｅ ｇｒｏｗＩｈ ｒａｔｅ ｉｎ口ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｉｓ ｎｅａｒｌｙ ｚｅｒｏ； （２）Ｉｎ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｓｙｓｔｅｍｓ，ｔｈｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ ｏｆ Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ ａｒｅ ０．６４６ ａｎｄ ０・０８・Ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｏｆ Ｒｂ＋ａｎｄ Ｃｓ＋ｉｎ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｌｅａｄ ｔｏ ｓｌｉｇｈｔ ｅｘｐａｎｄｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔｌａ ｃｅＵ，ａｎｄ ｄｏｎｔ ａｆｆｅｃｔ ｔｈｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｐｒｏｐｅｔｒｉｅｓ ｉｎ ｗａｖｅ ｌｅｎ￣ｈ ｒａｎｇｅ ｏｆ ３５０—１ １００ｎｍ ｏｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌａ； （３）Ｂｙ ｔｈｅ ｄ叩ｉｎｇ ｏｆ山 Ｒｂ ｏｒ Ｃｓ唱 ｍ ，ｔｈｅ ｃ。ｎｄｕｃｔｉＶｉｔｙ ａｌｏｎｇ ｃ—ｄｉｒｅｃｔｉ。ｎ。ｆ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔｌａ ｄｅｃｒｅａｓｅ。ｂｖｉｏｕｓｌｙ，ａｎｄ Ｃｓ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ ｉｓ ｍｏｒｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｉｎ ｄｅｃｒｅａｓｉｎｇ。ｆ ｃ。ｎｄｕｃｔｉＶｉｔｙ ｔｈａｎ Ｒｂ ｄｏｐｅｄ ＫＴＰ ｃｒｙｓｔａｌ・ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ ［１］ Ｍ删ｖ Ｇ Ａ．ＫｏｅＩｌｒ Ｔ Ｍ．Ｗｉｌｌｉｓ Ｌ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｒａｍａｎ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ．。ｐｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｔｉｔａｎａｔｅ Ｐｈｅｓｐｈａｔｅ［Ｊ］．卸妇ｄ ，ｌ９８ｏ，ｌ９ （２４）：４１３６． ［２］ Ｂｉｅｒｌｅｉｎ Ｊ Ｄ．Ａｒｗｅｉｌｅｒ Ｃ Ｂ．Ｅｌｅｃ讷．０ｐｔｉｃ ａｎｄ Ｄｉｅｌｃｅｔｒｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＫＴｉＯＰＯ４［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９８６，４９（１５）：９ｌ７・ ［３］ Ｙｉｎ Ｘｉｎ，ｗ锄ｇ Ｊｉｙａｎｇ，ｕｕ Ｙ舯ｇａｎｇ，ｅｔ ａ１．Ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉ０ｎ。ｆ＾Ｌｕ Ｅｌｅｃｔｒｏ－。ｐｔｉｃａｌ Ｃｏｅｆｌｌｃｉｅｎｔｓ ｏｆＫＴｉＯＰＯ４ Ｃｒｙｓｔａｌ［Ｊ］－Ａｃｔ口 口．ｓ ‘，ｌ９８８， ３７（１１）：ｌ９ｌ１． Ｔｉ Ｃｈｕａｎｇ，Ａ１ａｎ Ｈａｙｓ Ｄ，Ｈｏｍｃｉｏ ｖｅｒｄｕｎ Ｒ．Ｅｆｆｃｅｔ ｏｆ Ｄｉｓｐｅｒｓｉ０ｎ ｏｎ ｔｈｅ Ｏｐｅｒａｔｉ。ｎ ｏｆ ａ ＫＴＰ Ｅｌｅｃｔｒｏ－。ｐｔｉｃ Ｑ－ｓｗｉｔｃｈ［Ｊ］・却 Ｏｐｔ／ｃｓ，１９９４，３３ （３６）：８３５５． ［５］ ｃ ｓｔｏｌｐｈｅｒ Ｅｂｂｅｒｓ Ａ，ｓ【ｅｐｈａｎ ｖｅｌｓｋｏ Ｐ．Ｈｉｇｈ Ａｖｅｒａｇｅ Ｐｏｗｅｒ ＫＴｉＯＰＯ４ Ｅｌｃｅｔｒｏ－ｏｐｔｉｃ Ｑ－ｓｉｗｔｃｈ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ・Ｌｅｔｔ・，１９９５，６７（５）：５９３． ［６］ Ｙａ０ Ｊ Ｑ，ｓｕｎ ｘ ｗ，Ｋｗ０ｋ Ｈ Ｓ．Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆＳｉｍｕｈａｎｅｏｕｓ Ｑ－ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ａｎｄ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｏｕｂｌｉ“ｇ ｉｎ ＫＴＰ［Ｊ］．Ｊ．胁 ｔ ，ｌ９９７，４４（５）：９９７・
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