专利名称：具有静电释放保护结构的半导体装置及其版图结构专利类型：发明专利发明人：汪广羊
申请号：CN201710534156.1申请日：20170703公开号：CN109216343A公开日：20190115
摘要：本发明涉及一种具有静电释放保护结构的半导体装置及其版图结构，所述装置包括内部电路和GGNMOS，所述内部电路包括MOSFET，所述半导体装置还包括有源区，所述MOSFET设于所述有源区内，其特征在于，所述有源区还设有所述GGNMOS，且所述MOSFET设于同一有源区内的GGNMOS的横向两侧，所述有源区包括P阱，所述GGNMOS的N型掺杂区和所述MOSFET的N型掺杂区设于所述P阱内，所述半导体装置还包括作为衬底引出的P型掺杂区，所述P型掺杂区设于两侧的所述MOSFET的更外侧。本发明在发生静电释放时，如果导致内部电路的MOSFET导通，则会形成衬底电流，从而加大中间的GGNMOS的栅极电压，使得GGNMOS更容易导通，提高ESD能力。
申请人：无锡华润上华科技有限公司
地址：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：邓云鹏
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